ASML的EUV光刻机为何如此耗电
众所周知,全球能制造EUV光刻机的只有ASML一家,芯片厂商别无选择。EUV光刻机不仅价格高昂,更是耗电大户。据报道,一台输出250W功率的EUV光刻机,一年耗电可达3万度,要是有100台,那耗电量简直惊人。其根本原因在于能量转换效率极低,目前ASML的EUV整体能源转换效率仅0.02%左右。EUV光刻机能量转换效率低的原因
为何EUV光刻机能量转换效率这么低呢?主要是在EUV光源获取环节,能量损耗太大。ASML获取EUV光源,采用高功率二氧化碳激光脉冲照射直径30微米的锡滴液靶材,单个脉冲峰值功率高达数兆瓦。在光束持续作用下,锡珠激发成等离子体释放极紫外线,再经物镜系统收集形成有方向性的光线,但中间有损耗,最终转换效率低至0.02%左右。中国EUV技术取得重大突破
这些年众多机构都在研究提高转换效率或采用新方式生产13.5nm光源。近日,中国上海光机所的林楠团队研发出“固体激光器”技术路线,成功产生13.5nm波长的EUV光源,且能量转换效率相比ASML技术直接翻倍,相当于功耗降低50%。这意味着若EUV光刻机采用此技术,耗电量将大大降低,对芯片制造企业来说是福音。虽然技术落地还有很长路要走,但中国EUV光刻机又近了一步,未来说不定能造出比ASML更好的产品。转载请注明来自三年资讯网,本文标题:《中国EUV技术重大突破!转换效率竟比ASML提升100%?》
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